
IMW65R033M2HXKSA1 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 448-IMW65R033M2HXKSA1-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | IMW65R033M2HXKSA1 |
Opis | IMW65R033M2HXKSA1 |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 23 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 650 V 53A (Tc) 194W (Tc) Otwór przelotowy PG-TO247-3-40 |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | IMW65R033M2HXKSA1 Modele |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | ||
Opakowanie | Rurka | |
Status części | Aktywny | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 650 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 15V, 20V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 30mOhm przy 27,9A, 20V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 5,6V przy 5,7mA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 34 nC @ 18 V | |
Vgs (maks.) | +23V, -7V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 1214 pF @ 400 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 194W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 175°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Otwór przelotowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | PG-TO247-3-40 | |
Obudowa / skrzynia |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 37,92000 zł | 37,92 zł |
| 30 | 22,55667 zł | 676,70 zł |
| 120 | 19,18725 zł | 2 302,47 zł |
| 510 | 18,35814 zł | 9 362,65 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 37,92000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 46,64160 zł |



