IGC090S20S1XTMA1 Infineon Technologies | Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

IGC090S20S1XTMA1
Numer produktu DigiKey	448-IGC090S20S1XTMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IGC090S20S1XTMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IGC090S20S1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IGC090S20S1XTMA1
Opis	200 V G3 IN PQFN 3X5, 6.7 M,DSC
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 200 V 12A (Ta), 46A (Tc) 3,3W (Ta), 45W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TSON-6-2
Arkusz danych	Arkusz danych

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	CoolGaN™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Produkt wycofany z oferty DigiKey
Typ FET	Kanał N
Technologia	GaNFET (azotek galu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	200 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	12A (Ta), 46A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	5V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	9mOhm przy 10A, 5V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,9V przy 5mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	8.5 nC @ 5 V
Vgs (maks.)	±6,5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	800 pF @ 100 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	3,3W (Ta), 45W (Tc)
Temperatura robocza	-40°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TSON-6-2
Obudowa / skrzynia	6-PowerTDFN

IGC090S20S1XTMA1