Name: IGC037S12S1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGC037S12S1XTMA1TR-ND
Price: 19.3971 PLN
Availability: InStock

IGC037S12S1XTMA1
Numer produktu DigiKey	448-IGC037S12S1XTMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IGC037S12S1XTMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IGC037S12S1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IGC037S12S1XTMA1
Opis	GANFET N-CH 120V 19A 6TDFN
Standardowy czas realizacji przez producenta	29 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 120 V 19A (Ta), 71A (Tc) 3,3W (Ta), 45W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TSON-6-2
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IGC037S12S1XTMA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	CoolGaN™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	GaNFET (azotek galu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	120 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	19A (Ta), 71A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	5V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	3,7mOhm przy 18A, 5V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,9V przy 7mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	13 nC @ 5 V
Vgs (maks.)	±6,5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1000 pF @ 60 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	3,3W (Ta), 45W (Tc)
Temperatura robocza	-40°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TSON-6-2
Obudowa / skrzynia	6-PowerTDFN

Cena jednostkowa bez VAT:	15,77000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	19,39710 zł

IGC037S12S1XTMA1