Name: IGC025S08S1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGC025S08S1XTMA1TR-ND
Price: 19.3602 PLN
Availability: InStock

Potrzebujesz pomocy?

Twoja opinia

Informacje o DigiKey Marketplace Sprzedawaj na DigiKey.com Kariera Mapa serwisu Rozwiązania cyfrowe Serwis informacyjny

Pomoc i wsparcie Status zamówienia Stawki i opcje wysyłek Zwroty i zagadnienia dotyczące zamawiania

Chat (+48) 22 53 64 114 poland.support@digikey.com Co-Browse

IGC025S08S1XTMA1
Numer produktu DigiKey	448-IGC025S08S1XTMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IGC025S08S1XTMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IGC025S08S1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IGC025S08S1XTMA1
Opis	MV GAN DISCRETES
Standardowy czas realizacji przez producenta	20 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 80 V 23A (Ta), 86A (Tc) 3,3W (Ta), 45W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TSON-6-2
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IGC025S08S1XTMA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	CoolGaN™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	GaNFET (azotek galu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	80 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	23A (Ta), 86A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	5V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	2,5mOhm przy 25A, 5V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2.9V @ 10mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	12 nC @ 5 V
Vgs (maks.)	±6,5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1250 pF @ 40 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	3,3W (Ta), 45W (Tc)
Temperatura robocza	-40°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TSON-6-2
Obudowa / skrzynia	6-PowerTDFN

Cena jednostkowa bez VAT:	15,74000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	19,36020 zł

IGC025S08S1XTMA1