Name: IGC033S10S1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGC033S10S1XTMA1TR-ND
Price: 20.3196 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IGC033S10S1XTMA1
Numer produktu DigiKey	448-IGC033S10S1XTMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IGC033S10S1XTMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IGC033S10S1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IGC033S10S1XTMA1
Opis	GANFET N-CH 100V 21A 6TDFN
Standardowy czas realizacji przez producenta	29 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 21A (Ta), 76A (Tc) 3,3W (Ta), 45W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TSON-6-2
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IGC033S10S1XTMA1 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 3,3mOhm przy 20A, 5V
Prod. Infineon Technologies	Vgs(th) (maks.) przy Id 2,9V przy 8mA
Seria CoolGaN™	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 14 nC @ 5 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±6,5V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1400 pF @ 50 V
Typ FET Kanał N	Straty mocy (maks.) 3,3W (Ta), 45W (Tc)
Technologia GaNFET (azotek galu)	Temperatura robocza -40°C - 150°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 100 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 21A (Ta), 76A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia PG-TSON-6-2
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 5V	Obudowa / skrzynia 6-PowerTDFN