Name: IGB110S10S1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGB110S10S1XTMA1TR-ND
Price: 10.1352 PLN
Availability: OutOfStock

Potrzebujesz pomocy?

Twoja opinia

Informacje o DigiKey Marketplace Sprzedawaj na DigiKey.com Kariera Mapa serwisu Rozwiązania cyfrowe Serwis informacyjny

Pomoc i wsparcie Status zamówienia Stawki i opcje wysyłek Zwroty i zagadnienia dotyczące zamawiania

Chat (+48) 22 53 64 114 poland.support@digikey.com Co-Browse

IGB110S10S1XTMA1
Numer produktu DigiKey	448-IGB110S10S1XTMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IGB110S10S1XTMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IGB110S10S1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IGB110S10S1XTMA1
Opis	MV GAN DISCRETES
Standardowy czas realizacji przez producenta	16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 9A (Ta), 23A (Tc) 2,5W (Ta), 15W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TSON-4-2
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IGB110S10S1XTMA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	CoolGaN™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	GaNFET (azotek galu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	100 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	9A (Ta), 23A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	5V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	11mOhm przy 10A, 5V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,9V przy 3mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	3.4 nC @ 5 V
Vgs (maks.)	±6,5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	340 pF @ 50 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	2,5W (Ta), 15W (Tc)
Temperatura robocza	-40°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TSON-4-2
Obudowa / skrzynia	4-PowerTDFN

Cena jednostkowa bez VAT:	8,24000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	10,13520 zł

IGB110S10S1XTMA1