Name: GAN3R2-100CBEAZ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-GAN3R2-100CBEAZTR-ND
Price: 21.9924 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

GAN3R2-100CBEAZ
Numer produktu DigiKey	1727-GAN3R2-100CBEAZTR-ND - Taśma i szpula (TR) 1727-GAN3R2-100CBEAZCT-ND - Taśma cięta (CT) 1727-GAN3R2-100CBEAZDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Nexperia USA Inc.
Numer produktu producenta	GAN3R2-100CBEAZ
Opis	100 V, 3.2 MOHM GALLIUM NITRIDE
Standardowy czas realizacji przez producenta	4 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 60A 394W Montaż powierzchniowy 8-WLCSP (3,5x2,13)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	GAN3R2-100CBEAZ Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 2,5V przy 9mA
Prod. Nexperia USA Inc.	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 12 nC @ 5 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) +6V, -4V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1000 pF @ 50 V
Typ FET Kanał N	Straty mocy (maks.) 394W
Technologia GaNFET (azotek galu)	Temperatura robocza -40°C - 150°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 100 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 60A	Obudowa dostawcy urządzenia 8-WLCSP (3,5x2,13)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 5V	Obudowa / skrzynia 8-XFBGA, WLCSP
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 3,2mOhm przy 25A, 5V	Bazowy numer produktu GAN3R2