Name: IAUT300N10S5N015ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IAUT300N10S5N015ATMA1TR-ND
Price: 27.2322 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IAUT300N10S5N015ATMA1
Numer produktu DigiKey	IAUT300N10S5N015ATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) IAUT300N10S5N015ATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) IAUT300N10S5N015ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IAUT300N10S5N015ATMA1
Opis	MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Standardowy czas realizacji przez producenta	18 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 300A (Tc) 375W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-HSOF-8-1
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IAUT300N10S5N015ATMA1 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™ 5
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	100 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	300A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	6V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	1,5mOhm przy 100A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3,8V przy 275µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	216 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	16011 pF @ 50 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	375W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-HSOF-8-1
Obudowa / skrzynia	8-PowerSFN
Bazowy numer produktu	IAUT300