Name: IAUCN10S5L094DATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUCN10S5L094DATMA1TR-ND
Price: 13.3209 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IAUCN10S5L094DATMA1
Numer produktu DigiKey	448-IAUCN10S5L094DATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IAUCN10S5L094DATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IAUCN10S5L094DATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IAUCN10S5L094DATMA1
Opis	MOSFET 2N-CH 100V 66A 8TDSON
Standardowy czas realizacji przez producenta	26 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 100V 66A (Tj) 96W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TDSON-8-60
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IAUCN10S5L094DATMA1 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET
Producent	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™ 5
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Konfiguracja	2 kanały N (podwójne)
Charakterystyka FET	-
Napięcie dren-źródło (Vdss)	100V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	66A (Tj)
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	9,4mOhm przy 30A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,2V przy 35µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	30nC przy 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	2180pF przy 50V
Moc - maks.	96W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa / skrzynia	8-PowerTDFN
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TDSON-8-60