Name: NVMFD5C650NLT1G
Brand: onsemi
SKU: NVMFD5C650NLT1GOSTR-ND
Price: 26.4942 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

NVMFD5C650NLT1G
Numer produktu DigiKey	NVMFD5C650NLT1GOSTR-ND - Taśma i szpula (TR) NVMFD5C650NLT1GOSCT-ND - Taśma cięta (CT) NVMFD5C650NLT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	NVMFD5C650NLT1G
Opis	MOSFET 2N-CH 60V 21A 8DFN
Standardowy czas realizacji przez producenta	50 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 60V 21A (Ta), 111A (Tc) 3,5W (Ta), 125W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-DFN (5x6) podwójna flaga (SO8FL-podwójny)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	NVMFD5C650NLT1G Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 16nC przy 4,5V
Producent onsemi	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 2546pF przy 25V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Moc - maks. 3,5W (Ta), 125W (Tc)
Status części Aktywny	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Klasa Motoryzacja
Konfiguracja 2 kanały N (podwójne)	Kwalifikacja AEC-Q101
Napięcie dren-źródło (Vdss) 60V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 21A (Ta), 111A (Tc)	Obudowa / skrzynia 8-PowerTDFN
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 4,2mOhm przy 20A, 10V	Obudowa dostawcy urządzenia 8-DFN (5x6) podwójna flaga (SO8FL-podwójny)
Vgs(th) (maks.) przy Id 2,2V przy 98µA	Bazowy numer produktu NVMFD5