Name: IAUTN08S5N012LATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUTN08S5N012LATMA1TR-ND
Price: 31.0206 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IAUTN08S5N012LATMA1
Numer produktu DigiKey	448-IAUTN08S5N012LATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IAUTN08S5N012LATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IAUTN08S5N012LATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IAUTN08S5N012LATMA1
Opis	MOSFET 2N-CH 80V 300A PG-HSOF
Standardowy czas realizacji przez producenta	18 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 80V 300A (Tj) 375W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-HSOF-8-2
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IAUTN08S5N012LATMA1 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET
Producent	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™ 5
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Konfiguracja	2 z kanałem N, wspólny dren, wspólne źródło
Charakterystyka FET	-
Napięcie dren-źródło (Vdss)	80V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	300A (Tj)
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	1,15mOhm przy 100A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3,3V przy 275µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	24nC przy 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	15340pF przy 40V
Moc - maks.	375W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa / skrzynia	8-PowerSFN
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-HSOF-8-2