Name: GS61008TMRXUSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-GS61008TMRXUSA1TR-ND
Price: 42.2259 PLN
Availability: InStock

Potrzebujesz pomocy?

Twoja opinia

Informacje o DigiKey Marketplace Sprzedawaj na DigiKey.com Kariera Mapa serwisu Rozwiązania cyfrowe Serwis informacyjny

Pomoc i wsparcie Status zamówienia Stawki i opcje wysyłek Zwroty i zagadnienia dotyczące zamawiania

Chat (+48) 22 53 64 114 poland.support@digikey.com Co-Browse

GS61008TMRXUSA1
Numer produktu DigiKey	448-GS61008TMRXUSA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-GS61008TMRXUSA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-GS61008TMRXUSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	GS61008TMRXUSA1
Opis	GS61008T-MR
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 90A (Tc) Montaż powierzchniowy
Arkusz danych	Arkusz danych

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Ostatnio kupiono
Typ FET	Kanał N
Technologia	GaNFET (azotek galu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	100 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	90A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	6V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	9,5mOhm przy 27A, 6V
Vgs(th) (maks.) przy Id	1,3V przy 7mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	12 nC @ 6 V
Vgs (maks.)	+7V, -10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	590 pF @ 50 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	-
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	-
Obudowa / skrzynia	4-SMD, brak odprowadzenia

Ilość	Cena jednostkowa	Wartość
250	15,83944 zł	3 959,86 zł
500	15,47726 zł	7 738,63 zł

Cena jednostkowa bez VAT:	34,33000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	42,22590 zł

GS61008TMRXUSA1