Name: GS61008PMRXUSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-GS61008PMRXUSA1TR-ND
Price: 42.0414 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

GS61008PMRXUSA1
Numer produktu DigiKey	448-GS61008PMRXUSA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-GS61008PMRXUSA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-GS61008PMRXUSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	GS61008PMRXUSA1
Opis	GS61008P-MR
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 90A (Tc) Montaż powierzchniowy
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Ostatnio kupiono
Typ FET	Kanał N
Technologia	GaNFET (azotek galu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	100 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	90A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	6V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	9,5mOhm przy 27A, 6V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,6V przy 7mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	8 nC @ 6 V
Vgs (maks.)	+7V, -10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	600 pF @ 50 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	-
Temperatura robocza	-55°C - 150°C
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	-
Obudowa / skrzynia	5-SMD, brak odprowadzenia