Name: ZXMN6A25DN8TA
Brand: Diodes Incorporated
SKU: ZXMN6A25DN8TR-ND
Price: 9.0528 PLN
Availability: OutOfStock

ZXMN6A25DN8TA
Numer produktu DigiKey	ZXMN6A25DN8TR-ND - Taśma i szpula (TR) ZXMN6A25DN8CT-ND - Taśma cięta (CT) ZXMN6A25DN8DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Diodes Incorporated
Numer produktu producenta	ZXMN6A25DN8TA
Opis	MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8SO
Standardowy czas realizacji przez producenta	40 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 60V 3,8A 1,8W Montaż powierzchniowy 8-SO
Arkusz danych	Arkusz danych

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET
Producent	Diodes Incorporated
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Konfiguracja	2 kanały N (podwójne)
Charakterystyka FET	Bramka poziomu logicznego
Napięcie dren-źródło (Vdss)	60V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	3,8A
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	50mOhm przy 3,6A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	1V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	20,4nC przy 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1063pF przy 30V
Moc - maks.	1,8W
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa / skrzynia	8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm)
Obudowa dostawcy urządzenia	8-SO
Bazowy numer produktu	ZXMN6

Cena jednostkowa bez VAT:	7,36000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	9,05280 zł

ZXMN6A25DN8TA