
IRF7341TRPBF | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | IRF7341PBFTR-ND - Taśma i szpula (TR) IRF7341PBFCT-ND - Taśma cięta (CT) IRF7341PBFDKR-ND - Digi-Reel® |
Producent | |
Numer produktu producenta | IRF7341TRPBF |
Opis | MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8SO |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 26 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | MOSFET - układy 55V 4,7A 2W Montaż powierzchniowy 8-SO |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Producent | Infineon Technologies | |
Seria | ||
Opakowanie | Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® | |
Status części | Aktywny | |
Technologia | MOSFET (tlenek metalu) | |
Konfiguracja | 2 kanały N (podwójne) | |
Charakterystyka FET | Bramka poziomu logicznego | |
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 55V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | 4,7A | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 50mOhm przy 4,7A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 1V przy 250µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 36nC przy 10V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 740pF przy 25V | |
Moc - maks. | 2W | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TJ) | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy | |
Obudowa / skrzynia | 8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm) | |
Obudowa dostawcy urządzenia | 8-SO | |
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 4,68000 zł | 4,68 zł |
| 10 | 2,93900 zł | 29,39 zł |
| 100 | 1,94020 zł | 194,02 zł |
| 500 | 1,51062 zł | 755,31 zł |
| 1 000 | 1,37239 zł | 1 372,39 zł |
| 2 000 | 1,26444 zł | 2 528,88 zł |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 4 000 | 1,15825 zł | 4 633,00 zł |
| 8 000 | 1,07600 zł | 8 608,00 zł |
| 12 000 | 1,03411 zł | 12 409,32 zł |
| 20 000 | 1,03304 zł | 20 660,80 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 4,68000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 5,75640 zł |












