Vishay / Siliconix

Tranzystory TrenchFET serii SQJ

Firma Vishay Siliconix oferuje podwójne tranzystory MOSFET z kanałem N do zastosowań motoryzacyjnych, zamknięte w podwójnej obudowie asymetrycznej PowerPAK SO-8L

Wygląd tranzystorów MOSFET 60V SQJ264EP firmy VishayTranzystory TrenchFET serii SQJ firmy Vishay posiadają kwalifikację wg normy AEC-Q101 i są oferowane w podwójnych obudowach asymetrycznych PowerPAK SO-8L (5mm x 6mm). Tranzystory serii SQJ zaprojektowano z myślą o oszczędności miejsca i zwiększonej sprawności w zasilaczach impulsowych prądu stałego do zastosowań motoryzacyjnych, posiadających cykl pracy poniżej 50%. Zamknięcie dwóch tranzystorów MOSFET w jednej obudowie zmniejsza liczbę komponentów i wymagania dotyczące miejsca na płytce, a także zwiększa gęstość mocy w porównaniu z rozwiązaniami wykorzystującymi pojedyncze tranzystory MOSFET. Tranzystory serii SQJ zapewniają projektantom elastyczność konfigurowania tranzystorów w różnych topologiach, włączając w to synchroniczne przetwornice obniżające lub podwyższające prądu stałego. Posiadają one również szeroki zakres temperatur roboczych od -55°C do +175°C.

Charakterystyka
  • Maksymalne RDS(ON) 20mΩ oraz 8,6mΩ
  • Zakres temperatur roboczych od -55°C do +175°C
  • Odprowadzenia skrzydełkowe zwiększające stabilność w płaszczyźnie płytki
  • Zgodne z RoHS i nie zawierające halogenów
  • 100% próba Rg oraz UIS
  • Kwalifikacja wg normy AEC-Q101
  • Tranzystory MOSFET strony wysokiej i niskiej zamknięte w kompaktowej podwójnej obudowie asymetrycznej PowerPAK SO-8L (5mm x 6mm)
Zastosowania
  • Zasilacze impulsowe prądu stałego do zastosowań motoryzacyjnych
    • Systemy inforozrywki
    • Wyświetlacze
    • Oświetlenie LED
  • Konwersja energii w rowerach elektrycznych

SQJ Series TrenchFETs

ObrazManufacturer Part NumberOpisNapięcie dren-źródło (Vdss)Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°CCharakterystyka FETDostępna ilość CenaWyświetl szczegóły
MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8SQJB02ELP-T1_GE3MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO840V30A (Tc)-19635 - Immediate$5.97Wyświetl szczegóły
MOSFET 2N-CH 100V 30A PPAK SO8SQJ974EP-T1_GE3MOSFET 2N-CH 100V 30A PPAK SO8100V30A (Tc)-4378 - Immediate$7.14Wyświetl szczegóły
MOSFET N/P-CH 40V 30A PPAK SO8SQJ500AEP-T1_GE3MOSFET N/P-CH 40V 30A PPAK SO840V30A (Tc)-5704 - Immediate$7.87Wyświetl szczegóły
MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK SO8SQJ951EP-T1_GE3MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK SO830V30A-2643 - Immediate$7.87Wyświetl szczegóły
MOSFET 2P-CH 60V 8A PPAK SO8SQJ963EP-T1_GE3MOSFET 2P-CH 60V 8A PPAK SO860V8A (Tc)-1370 - Immediate$9.41Wyświetl szczegóły
MOSFET 2N-CH 40V 15A PPAK SO8SQJ940EP-T1_GE3MOSFET 2N-CH 40V 15A PPAK SO840V15A (Ta), 18A (Tc)Bramka poziomu logicznego8415 - Immediate$7.32Wyświetl szczegóły
MOSFET 2N-CH 60V 15A PPAK SO8SQJ992EP-T1_GE3MOSFET 2N-CH 60V 15A PPAK SO860V15A-1697 - Immediate$7.06Wyświetl szczegóły
MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8SQJ912DEP-T1_GE3MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO840V30A (Tc)-1101 - Immediate$5.78Wyświetl szczegóły
MOSFET 2N-CH 60V 20A PPAK SO8SQJ958EP-T1_GE3MOSFET 2N-CH 60V 20A PPAK SO860V20A (Tc)-29 - Immediate$6.00Wyświetl szczegóły
MOSFET 2N-CH 60V 23A PPAK SO8SQJ956EP-T1_GE3MOSFET 2N-CH 60V 23A PPAK SO860V23A (Tc)-4625 - Immediate$6.00Wyświetl szczegóły
MOSFET N/P-CH 100V 15A PPAK SO8SQJ570EP-T1_GE3MOSFET N/P-CH 100V 15A PPAK SO8100V15A (Tc), 9,5A (Tc)-4708 - Immediate$6.41Wyświetl szczegóły
MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO8SQJ844AEP-T1_GE3MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO830V8A-5996 - Immediate$6.41Wyświetl szczegóły
MOSFET 2N-CH 40V 15A PPAK SO8SQJ942EP-T1_GE3MOSFET 2N-CH 40V 15A PPAK SO840V15A (Tc), 45A (Tc)-3000 - Immediate$6.41Wyświetl szczegóły
MOSFET 2N-CH 60V 23.5A PPAK SO8SQJ968EP-T1_GE3MOSFET 2N-CH 60V 23.5A PPAK SO860V23,5A (Tc)-0 - Immediate$5.97Wyświetl szczegóły
MOSFET 2N-CH 20V 20A PPAK SO8SQJ200EP-T1_GE3MOSFET 2N-CH 20V 20A PPAK SO820V20A, 60A-8775 - Immediate$6.41Wyświetl szczegóły
MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8SQJB40EP-T1_GE3MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO840V30A (Tc)-14633 - Immediate$6.77Wyświetl szczegóły
MOSFET 2N-CH 30V 30A PPAK SO8SQJ914EP-T1_GE3MOSFET 2N-CH 30V 30A PPAK SO830V30A (Tc)-9443 - Immediate$6.77Wyświetl szczegóły
MOSFET 2N-CH 75V 17A PPAK SO8SQJ980AEP-T1_GE3MOSFET 2N-CH 75V 17A PPAK SO875V17A (Tc)-1963 - Immediate$6.77Wyświetl szczegóły
MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8SQJB42EP-T1_GE3MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO840V30A (Tc)-5606 - Immediate$6.77Wyświetl szczegóły
MOSFET 2N-CH 100V 34A PPAK SO8SQJ990EP-T1_GE3MOSFET 2N-CH 100V 34A PPAK SO8100V34A (Tc)-8957 - Immediate$7.14Wyświetl szczegóły
Published: 2020-10-07

Related Videos

A New Vishay is in motion
A New Vishay is in motion

Publish Date: 2024-09-13

Automotive Grade Dual Asymmetrical MOSFETs - Better Energy Efficiency, Power Density and Reliability
Automotive Grade Dual Asymmetrical MOSFETs - Better Energy Efficiency, Power Density and Reliability

Publish Date: 2021-07-16

Related Product Highlight

Tranzystor MOSFET 60V SQJ264EP Tranzystory MOSFET 60V SQJ264EP firmy Vishay są dostarczane w podwójnych obudowach asymetrycznych PowerPAK® SO 8L o wymiarach 5mm x 6mm.
SQJ200EP and SQJ202EP N-Channel TrenchFET® Devices Vishay Siliconix introduces their SQJ200EP and SQJ202EP AEC-Q101 qualified 12 V and 20 V MOSFETs in a dual asymmetric package for synchronous buck applications.