Name: SQJ570EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJ570EP-T1_GE3TR-ND
Price: 8.2533 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SQJ570EP-T1_GE3
Numer produktu DigiKey	SQJ570EP-T1_GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SQJ570EP-T1_GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SQJ570EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SQJ570EP-T1_GE3
Opis	MOSFET N/P-CH 100V 15A PPAK SO8
Standardowy czas realizacji przez producenta	22 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 100V 15A (Tc), 9,5A (Tc) 27W Montaż powierzchniowy PowerPAK® SO-8 podwójny
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SQJ570EP-T1_GE3 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 20nC przy 10V, 15nC przy 10V
Producent Vishay Siliconix	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 650pF przy 25V, 600pF przy 25V
Seria TrenchFET®	Moc - maks. 27W
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Status części Aktywny	Klasa Motoryzacja
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Kwalifikacja AEC-Q101
Konfiguracja Kanał N i P	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 100V	Obudowa / skrzynia PowerPAK® SO-8 podwójny
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 15A (Tc), 9,5A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia PowerPAK® SO-8 podwójny
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 45mOhm przy 6A, 10V, 146mOhm przy 6A, 10V	Bazowy numer produktu SQJ570
Vgs(th) (maks.) przy Id 2,5V przy 250µA