
SQJ912DEP-T1_GE3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 742-SQJ912DEP-T1_GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) 742-SQJ912DEP-T1_GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) 742-SQJ912DEP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Producent | |
Numer produktu producenta | SQJ912DEP-T1_GE3 |
Opis | MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8 |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 39 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | MOSFET - układy 40V 30A (Tc) 27W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerPAK® SO-8 podwójny |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | SQJ912DEP-T1_GE3 Modele |
Kategoria | Vgs(th) (maks.) przy Id 2,5V przy 250µA |
Producent Vishay Siliconix | Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 36nC przy 10V |
Seria | Moc - maks. 27W (Tc) |
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® | Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ) |
Status części Aktywny | Klasa Motoryzacja |
Technologia MOSFET (tlenek metalu) | Kwalifikacja AEC-Q101 |
Konfiguracja 2 kanały N (podwójne) | Typ mocowania Montaż powierzchniowy |
Napięcie dren-źródło (Vdss) 40V | Obudowa / skrzynia PowerPAK® SO-8 podwójny |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 30A (Tc) | Obudowa dostawcy urządzenia PowerPAK® SO-8 podwójny |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 7,3mOhm przy 7A, 10V | Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 6,07000 zł | 6,07 zł |
| 10 | 3,84200 zł | 38,42 zł |
| 100 | 2,56170 zł | 256,17 zł |
| 500 | 2,01328 zł | 1 006,64 zł |
| 1 000 | 1,83677 zł | 1 836,77 zł |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 3 000 | 1,61265 zł | 4 837,95 zł |
| 6 000 | 1,49985 zł | 8 999,10 zł |
| 9 000 | 1,44241 zł | 12 981,69 zł |
| 15 000 | 1,37788 zł | 20 668,20 zł |
| 21 000 | 1,36047 zł | 28 569,87 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 6,07000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 7,46610 zł |

