
SQJ200EP-T1_GE3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | SQJ200EP-T1_GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SQJ200EP-T1_GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SQJ200EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Producent | |
Numer produktu producenta | SQJ200EP-T1_GE3 |
Opis | MOSFET 2N-CH 20V 20A PPAK SO8 |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 23 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | MOSFET - układy 20V 20A, 60A 27W, 48W Montaż powierzchniowy PowerPAK® SO-8 podwójny asymetryczny |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | SQJ200EP-T1_GE3 Modele |
Kategoria | Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 18nC przy 10V |
Producent Vishay Siliconix | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 975pF przy 10V |
Seria | Moc - maks. 27W, 48W |
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® | Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ) |
Status części Aktywny | Klasa Motoryzacja |
Technologia MOSFET (tlenek metalu) | Kwalifikacja AEC-Q101 |
Konfiguracja 2 kanały N (podwójne) | Typ mocowania Montaż powierzchniowy |
Napięcie dren-źródło (Vdss) 20V | Obudowa / skrzynia PowerPAK® SO-8 podwójny |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 20A, 60A | Obudowa dostawcy urządzenia PowerPAK® SO-8 podwójny asymetryczny |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 8,8mOhm przy 16A, 10V | Bazowy numer produktu |
Vgs(th) (maks.) przy Id 2V przy 250µA |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 6,71000 zł | 6,71 zł |
| 10 | 4,26200 zł | 42,62 zł |
| 100 | 2,85830 zł | 285,83 zł |
| 500 | 2,25632 zł | 1 128,16 zł |
| 1 000 | 2,06270 zł | 2 062,70 zł |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 3 000 | 1,81680 zł | 5 450,40 zł |
| 6 000 | 1,69308 zł | 10 158,48 zł |
| 9 000 | 1,63006 zł | 14 670,54 zł |
| 15 000 | 1,56424 zł | 23 463,60 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 6,71000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 8,25330 zł |

