Name: SUM90100E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SUM90100E-GE3-ND
Price: 23.37 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SUM90100E-GE3
Numer produktu DigiKey	742-SUM90100E-GE3-ND
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SUM90100E-GE3
Opis	N-CHANNEL 200-V (D-S) MOSFET D2P
Standardowy czas realizacji przez producenta	42 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 200 V 150A (Tc) 375W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-263 (D2PAK)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 11,4mOhm przy 16A, 10V
Prod. Vishay Siliconix	Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 250µA
Seria TrenchFET®	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 110 nC @ 10 V
Opakowanie Zbiorcze	Vgs (maks.) ±20V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 3930 pF @ 100 V
Typ FET Kanał N	Straty mocy (maks.) 375W (Tc)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 200 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 150A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia TO-263 (D2PAK)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 7,5V, 10V	Obudowa / skrzynia TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 1 646

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Zbiorcze