Name: FDB2614
Brand: onsemi
SKU: FDB2614TR-ND
Price: 26.322 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

FDB2614
Numer produktu DigiKey	FDB2614TR-ND - Taśma i szpula (TR) FDB2614CT-ND - Taśma cięta (CT) FDB2614DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	FDB2614
Opis	MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK
Standardowy czas realizacji przez producenta	45 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 200 V 62A (Tc) 260W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-263 (D2PAK)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 5V przy 250µA
Prod. onsemi	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 99 nC @ 10 V
Seria PowerTrench®	Vgs (maks.) ±30V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 7230 pF @ 25 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 260W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 200 V	Obudowa dostawcy urządzenia TO-263 (D2PAK)
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 62A (Tc)	Obudowa / skrzynia TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V	Bazowy numer produktu FDB261
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 27mOhm przy 31A, 10V