Name: SQ2364EES-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQ2364EES-T1_GE3TR-ND
Price: 4.8093 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SQ2364EES-T1_GE3
Numer produktu DigiKey	SQ2364EES-T1_GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SQ2364EES-T1_GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SQ2364EES-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SQ2364EES-T1_GE3
Opis	MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3
Standardowy czas realizacji przez producenta	23 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 60 V 2A (Tc) 3W (Tc) Montaż powierzchniowy SOT-23-3 (TO-236)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 2.5 nC @ 4.5 V
Prod. Vishay Siliconix	Vgs (maks.) ±8V
Seria TrenchFET®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 330 pF @ 25 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Straty mocy (maks.) 3W (Tc)
Status części Aktywny	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Typ FET Kanał N	Klasa Motoryzacja
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Kwalifikacja AEC-Q101
Napięcie dren-źródło (Vdss) 60 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 2A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia SOT-23-3 (TO-236)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 1,5V, 4,5V	Obudowa / skrzynia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 240mOhm przy 2A, 4,5V	Bazowy numer produktu SQ2364
Vgs(th) (maks.) przy Id 1V przy 250µA

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 3 836

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)