SUD50N06-09L-E3 jest przestarzałe i nie jest już produkowane.
Dostępne zamienniki:

Similar

IRFR1018ETRPBF
Infineon Technologies
W magazynie: 20 464
Cena jednostkowa : 6,00000 zł
Arkusz danych

Similar

IRFR3607TRPBF
Infineon Technologies
W magazynie: 436
Cena jednostkowa : 8,15000 zł
Arkusz danych

Similar

IRLR3636TRPBF
Infineon Technologies
W magazynie: 23 599
Cena jednostkowa : 8,83000 zł
Arkusz danych

Similar

NVD5C668NLT4G
onsemi
W magazynie: 697
Cena jednostkowa : 10,45000 zł
Arkusz danych

Similar

STD35NF06LT4
STMicroelectronics
W magazynie: 42 607
Cena jednostkowa : 7,83000 zł
Arkusz danych

Similar

STD65N55F3
STMicroelectronics
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 11,31000 zł
Arkusz danych

Similar

STD70N6F3
STMicroelectronics
W magazynie: 2 197
Cena jednostkowa : 10,74000 zł
Arkusz danych

Similar

TK60S06K3L(T6L1,NQ
Toshiba Semiconductor and Storage
W magazynie: 1 704
Cena jednostkowa : 9,62000 zł
Arkusz danych
Wyświetl i porównaj wszystkie zamienniki
Kanał N 60 V 50A (Tc) 3W (Ta), 136W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-252AA
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SUD50N06-09L-E3

Numer produktu DigiKey
SUD50N06-09L-E3TR-ND - Taśma i szpula (TR)
SUD50N06-09L-E3CT-ND - Taśma cięta (CT)
SUD50N06-09L-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent
Vishay Siliconix
Numer produktu producenta
SUD50N06-09L-E3
Opis
MOSFET N-CH 60V 50A TO252
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 60 V 50A (Tc) 3W (Ta), 136W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-252AA
Arkusz danych
 Arkusz danych
Atrybuty produktu
Filtruj podobne produkty
Pokaż puste atrybuty
Kategoria
Vgs(th) (maks.) przy Id
3V przy 250µA
Prod.
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
70 nC @ 10 V
Seria
Vgs (maks.)
±20V
Opakowanie
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
2650 pF @ 25 V
Status części
Nieaktualne
Straty mocy (maks.)
3W (Ta), 136W (Tc)
Typ FET
Temperatura robocza
-55°C - 175°C (TJ)
Technologia
Typ mocowania
Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60 V
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-252AA
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Obudowa / skrzynia
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
4,5V, 10V
Bazowy numer produktu
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
9,3mOhm przy 20A, 10V
Zgłoś błąd informacji o produkcie
Dokumenty i media
Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów
Dodatkowe zasoby
Zamienniki (8)
Numer katalogowyProducent Ilość dostępnaNumer produktu DigiKey Cena jednostkowa Rodzaj zamiennika
IRFR1018ETRPBFInfineon Technologies20 464IRFR1018ETRPBFCT-ND6,00000 złSimilar
IRFR3607TRPBFInfineon Technologies436IRFR3607TRPBFCT-ND8,15000 złSimilar
IRLR3636TRPBFInfineon Technologies23 599IRLR3636TRPBFCT-ND8,83000 złSimilar
NVD5C668NLT4Gonsemi697NVD5C668NLT4GOSCT-ND10,45000 złSimilar
STD35NF06LT4STMicroelectronics42 607497-7965-1-ND7,83000 złSimilar
Pokaż więcej
Wyświetl i porównaj wszystkie zamienniki
Przestarzałe
Ten produkt nie jest już produkowany. Wyświetl Zamienniki.
Mogą Cię również zainteresowaćZobacz wszystko
6 Pozycje
SQD50N06-09L_GE3

SQD50N06-09L_GE3

MOSFET N-CH 60V 50A TO252

Vishay Siliconix

22,44000 zł
IRFR1018ETRPBF

IRFR1018ETRPBF

MOSFET N-CH 60V 56A DPAK

Infineon Technologies

6,00000 zł
NVD5C668NLT4G

NVD5C668NLT4G

MOSFET N-CHANNEL 60V 49A DPAK

onsemi

10,45000 zł
LM2901VQDR

LM2901VQDR

IC COMPARATOR 4 DIFF 14SOIC

Texas Instruments

2,26000 zł
LT4356HMS-1#PBF

LT4356HMS-1#PBF

IC OVERVOLT PROT REG 10-MSOP

Analog Devices Inc.

35,69000 zł
FDD10AN06A0

FDD10AN06A0

MOSFET N-CH 60V 11A/50A TO252AA

onsemi

10,56000 zł
Warunki Informacja dotycząca prywatności Ustawienia plików cookie
Copyright © 1995-2026, DigiKey. All Rights Reserved.
ECIA Member
This site is protected by VikingCloud's Trusted Commerce program
ECIA Member