Name: IRLR3636TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRLR3636TRPBFTR-ND
Price: 10.8609 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IRLR3636TRPBF
Numer produktu DigiKey	IRLR3636TRPBFTR-ND - Taśma i szpula (TR) IRLR3636TRPBFCT-ND - Taśma cięta (CT) IRLR3636TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IRLR3636TRPBF
Opis	MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Standardowy czas realizacji przez producenta	35 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 60 V 50A (Tc) 143W (Tc) Montaż powierzchniowy
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IRLR3636TRPBF Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 2,5V przy 100µA
Prod. Infineon Technologies	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 49 nC @ 4.5 V
Seria HEXFET®	Vgs (maks.) ±16V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 3779 pF @ 50 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 143W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 60 V	Obudowa dostawcy urządzenia TO-252AA (DPAK)
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 50A (Tc)	Obudowa / skrzynia TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Bazowy numer produktu IRLR3636
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 6,8mOhm przy 50A, 10V