Name: SQJQ181EL-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQJQ181EL-T1_GE3TR-ND
Price: 13.8252 PLN
Availability: OutOfStock

Nowy produkt

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SQJQ181EL-T1_GE3
Numer produktu DigiKey	742-SQJQ181EL-T1_GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) 742-SQJQ181EL-T1_GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) 742-SQJQ181EL-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SQJQ181EL-T1_GE3
Opis	P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Standardowy czas realizacji przez producenta	10 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 80 V 175A (Tc) 348W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerPAK® 8 x 8
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Vishay Siliconix
Seria	TrenchFET®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	80 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	175A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	5,5mOhm przy 10A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,5V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	230 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	14481 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	348W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PowerPAK® 8 x 8
Obudowa / skrzynia	PowerPAK® 8 x 8

Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

0 w magazynie

Sprawdź czas realizacji

Zażądaj powiadomienia o stanie magazynowym

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®