Name: GT090P08M
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-GT090P08MTR-ND
Price: 10.8486 PLN
Availability: InStock

Nowości w DigiKey

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

GT090P08M
Numer produktu DigiKey	3141-GT090P08MTR-ND - Taśma i szpula (TR) 3141-GT090P08MCT-ND - Taśma cięta (CT) 3141-GT090P08MDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Goford Semiconductor
Numer produktu producenta	GT090P08M
Opis	MOSFET P-CH 80V 178A 490W TO-263
Standardowy czas realizacji przez producenta	8 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 80 V 178A (Tc) 490W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-263
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Goford Semiconductor
Seria	SGT
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	80 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	178A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	9mOhm przy 40A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,5V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	173 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	11170 pF @ 40 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	490W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-263
Obudowa / skrzynia	TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB