
SQJ952EP-T1_GE3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | SQJ952EP-T1_GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SQJ952EP-T1_GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SQJ952EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Producent | |
Numer produktu producenta | SQJ952EP-T1_GE3 |
Opis | MOSFET 2N-CH 60V 23A PPAK SO8 |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 23 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | MOSFET - układy 60V 23A (Tc) 25W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerPAK® SO-8 podwójny |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | SQJ952EP-T1_GE3 Modele |
Kategoria | Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 30nC przy 10V |
Producent Vishay Siliconix | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1800pF przy 30V |
Seria | Moc - maks. 25W (Tc) |
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® | Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ) |
Status części Aktywny | Klasa Motoryzacja |
Technologia MOSFET (tlenek metalu) | Kwalifikacja AEC-Q101 |
Konfiguracja 2 kanały N (podwójne) | Typ mocowania Montaż powierzchniowy |
Napięcie dren-źródło (Vdss) 60V | Obudowa / skrzynia PowerPAK® SO-8 podwójny |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 23A (Tc) | Obudowa dostawcy urządzenia PowerPAK® SO-8 podwójny |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 20mOhm przy 10,3A, 10V | Bazowy numer produktu |
Vgs(th) (maks.) przy Id 2,5V przy 250µA |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 7,72000 zł | 7,72 zł |
| 10 | 4,92300 zł | 49,23 zł |
| 100 | 3,32650 zł | 332,65 zł |
| 500 | 2,64240 zł | 1 321,20 zł |
| 1 000 | 2,42232 zł | 2 422,32 zł |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 3 000 | 2,14300 zł | 6 429,00 zł |
| 6 000 | 2,00246 zł | 12 014,76 zł |
| 9 000 | 1,93089 zł | 17 378,01 zł |
| 15 000 | 1,89594 zł | 28 439,10 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 7,72000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 9,49560 zł |











