Name: SI7252ADP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SI7252ADP-T1-GE3TR-ND
Price: 12.2754 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SI7252ADP-T1-GE3
Numer produktu DigiKey	742-SI7252ADP-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) 742-SI7252ADP-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) 742-SI7252ADP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SI7252ADP-T1-GE3
Opis	MOSFET 2N-CH 100V 9.3A PPAK SO8
Standardowy czas realizacji przez producenta	55 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 100V 9,3A (Ta), 28,7A (Tc) 3,6W (Ta), 33,8W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerPAK® SO-8 podwójny
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SI7252ADP-T1-GE3 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET	Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 250µA
Producent Vishay Siliconix	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 26,5nC przy 10V
Seria TrenchFET®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1266pF przy 50V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Moc - maks. 3,6W (Ta), 33,8W (Tc)
Status części Aktywny	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Konfiguracja 2 kanały N (podwójne)	Obudowa / skrzynia PowerPAK® SO-8 podwójny
Napięcie dren-źródło (Vdss) 100V	Obudowa dostawcy urządzenia PowerPAK® SO-8 podwójny
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 9,3A (Ta), 28,7A (Tc)	Bazowy numer produktu SI7252
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 18,6mOhm przy 10A, 10V