Name: SQ3987EV-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQ3987EV-T1_GE3TR-ND
Price: 4.4526 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SQ3987EV-T1_GE3
Numer produktu DigiKey	SQ3987EV-T1_GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SQ3987EV-T1_GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SQ3987EV-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SQ3987EV-T1_GE3
Opis	MOSFET 2P-CH 30V 3A 6TSOP
Standardowy czas realizacji przez producenta	22 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 30V 3A (Tc) 1,67W Montaż powierzchniowy 6-TSOP
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SQ3987EV-T1_GE3 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET
Producent	Vishay Siliconix
Seria	TrenchFET®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Konfiguracja	2 kanały P (podwójne)
Charakterystyka FET	-
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	3A (Tc)
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	133mOhm przy 1,5A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,5V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	12,2nC przy 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	570pF przy 15V
Moc - maks.	1,67W
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa / skrzynia	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Obudowa dostawcy urządzenia	6-TSOP
Bazowy numer produktu	SQ3987