Name: SQ3985EV-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQ3985EV-T1_GE3TR-ND
Price: 5.3013 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SQ3985EV-T1_GE3
Numer produktu DigiKey	742-SQ3985EV-T1_GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) 742-SQ3985EV-T1_GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) 742-SQ3985EV-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SQ3985EV-T1_GE3
Opis	MOSFET 2P-CH 20V 3.9A 6TSOP
Standardowy czas realizacji przez producenta	24 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 20V 3,9A (Tc) 3W Montaż powierzchniowy 6-TSOP
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SQ3985EV-T1_GE3 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 4,6nC przy 4,5V
Producent Vishay Siliconix	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 350pF przy 10V
Seria TrenchFET®	Moc - maks. 3W
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Status części Aktywny	Klasa Motoryzacja
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Kwalifikacja AEC-Q101
Konfiguracja 2 kanały P (podwójne)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 20V	Obudowa / skrzynia SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 3,9A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia 6-TSOP
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 145mOhm przy 2,8A, 4,5V	Bazowy numer produktu SQ3985
Vgs(th) (maks.) przy Id 1,5V przy 250µA

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 8 802

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)