Name: SQ3985EV-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQ3985EV-T1_GE3TR-ND
Price: 4.7724 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SQ3985EV-T1_GE3
Numer produktu DigiKey	742-SQ3985EV-T1_GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) 742-SQ3985EV-T1_GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) 742-SQ3985EV-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SQ3985EV-T1_GE3
Opis	MOSFET 2P-CH 20V 3.9A 6TSOP
Standardowy czas realizacji przez producenta	22 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 20V 3,9A (Tc) 3W Montaż powierzchniowy 6-TSOP
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SQ3985EV-T1_GE3 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET
Producent	Vishay Siliconix
Seria	TrenchFET®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Konfiguracja	2 kanały P (podwójne)
Charakterystyka FET	-
Napięcie dren-źródło (Vdss)	20V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	3,9A (Tc)
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	145mOhm przy 2,8A, 4,5V
Vgs(th) (maks.) przy Id	1,5V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	4,6nC przy 4,5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	350pF przy 10V
Moc - maks.	3W
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa / skrzynia	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Obudowa dostawcy urządzenia	6-TSOP
Bazowy numer produktu	SQ3985