Name: SQ3585EV-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQ3585EV-T1_GE3TR-ND
Price: 15.0306 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SQ3585EV-T1_GE3
Numer produktu DigiKey	SQ3585EV-T1_GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SQ3585EV-T1_GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SQ3585EV-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SQ3585EV-T1_GE3
Opis	MOSFET N/P-CH 20V 3.57A 6TSOP
Standardowy czas realizacji przez producenta	22 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 20V 3,57A (Tc), 2,5A (Tc) 1,67W Montaż powierzchniowy 6-TSOP
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET
Producent	Vishay Siliconix
Seria	TrenchFET®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Konfiguracja	Kanał N i P
Charakterystyka FET	-
Napięcie dren-źródło (Vdss)	20V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	3,57A (Tc), 2,5A (Tc)
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	77mOhm przy 1A, 4,5V, 166mOhm przy 1A, 4,5V
Vgs(th) (maks.) przy Id	1,5V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	2,5nC przy 4,5V, 3,5nC przy 4,5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	-
Moc - maks.	1,67W
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa / skrzynia	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Obudowa dostawcy urządzenia	6-TSOP
Bazowy numer produktu	SQ3585

Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 3 001

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®