
SIZ260DT-T1-GE3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 742-SIZ260DT-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) 742-SIZ260DT-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) 742-SIZ260DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Producent | |
Numer produktu producenta | SIZ260DT-T1-GE3 |
Opis | MOSFET 2N-CH 80V 8.9A 8POWERPAIR |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 17 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | MOSFET - układy 80V 8,9A (Ta), 24,7A (Tc), 8,9A (Ta), 24,6A (Tc) 4,3W (Ta), 33W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-PowerPair® (3,3x3,3) |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | SIZ260DT-T1-GE3 Modele |
Kategoria | Vgs(th) (maks.) przy Id 2,4V przy 250µA |
Producent Vishay Siliconix | Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 27nC przy 10V |
Seria | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 820pF przy 40V |
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® | Moc - maks. 4,3W (Ta), 33W (Tc) |
Status części Aktywny | Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ) |
Technologia MOSFET (tlenek metalu) | Typ mocowania Montaż powierzchniowy |
Konfiguracja 2 kanały N (podwójne) | Obudowa / skrzynia 8-PowerWDFN |
Napięcie dren-źródło (Vdss) 80V | Obudowa dostawcy urządzenia 8-PowerPair® (3,3x3,3) |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 8,9A (Ta), 24,7A (Tc), 8,9A (Ta), 24,6A (Tc) | Bazowy numer produktu |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 24,5mOhm przy 10A, 10V, 24,7mOhm przy 10A, 10V |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 7,18000 zł | 7,18 zł |
| 10 | 4,57500 zł | 45,75 zł |
| 100 | 3,07770 zł | 307,77 zł |
| 500 | 2,43686 zł | 1 218,43 zł |
| 1 000 | 2,23075 zł | 2 230,75 zł |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 3 000 | 1,96905 zł | 5 907,15 zł |
| 6 000 | 1,83739 zł | 11 024,34 zł |
| 9 000 | 1,77034 zł | 15 933,06 zł |
| 15 000 | 1,71820 zł | 25 773,00 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 7,18000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 8,83140 zł |











