Name: SIZF4800LDT-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIZF4800LDT-T1-GE3TR-ND
Price: 10.5288 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SIZF4800LDT-T1-GE3
Numer produktu DigiKey	742-SIZF4800LDT-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) 742-SIZF4800LDT-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) 742-SIZF4800LDT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SIZF4800LDT-T1-GE3
Opis	MOSFET 2N-CH 80V 10A PWRPAIR
Standardowy czas realizacji przez producenta	29 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 80V 10A (Ta), 36A (Tc) 4,5W (Ta), 56,8W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerPAIR® 3x3FS
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SIZF4800LDT-T1-GE3 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET
Producent	Vishay Siliconix
Seria	TrenchFET®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Konfiguracja	2 kanały N (półmostek)
Charakterystyka FET	-
Napięcie dren-źródło (Vdss)	80V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	10A (Ta), 36A (Tc)
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	19mOhm przy 10A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	23nC przy 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	950pF przy 40V
Moc - maks.	4,5W (Ta), 56,8W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa / skrzynia	12-PowerPair™
Obudowa dostawcy urządzenia	PowerPAIR® 3x3FS