Name: SIZ250DT-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIZ250DT-T1-GE3TR-ND
Price: 7.8843 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SIZ250DT-T1-GE3
Numer produktu DigiKey	742-SIZ250DT-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) 742-SIZ250DT-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) 742-SIZ250DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SIZ250DT-T1-GE3
Opis	MOSFET 2N-CH 60V 14A 8POWERPAIR
Standardowy czas realizacji przez producenta	29 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 60V 14A (Ta), 38A (Tc) 4,3W (Ta), 33W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-PowerPair® (3,3x3,3)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SIZ250DT-T1-GE3 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET
Producent	Vishay Siliconix
Seria	TrenchFET® Gen IV
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Konfiguracja	2 kanały N (podwójne)
Charakterystyka FET	-
Napięcie dren-źródło (Vdss)	60V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	14A (Ta), 38A (Tc)
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	12,2mOhm przy 10A, 10V, 12,7mOhm przy 10A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	21nC przy 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	840pF przy 30V, 790pF przy 30V
Moc - maks.	4,3W (Ta), 33W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa / skrzynia	8-PowerWDFN
Obudowa dostawcy urządzenia	8-PowerPair® (3,3x3,3)
Bazowy numer produktu	SIZ250