Name: SIZ250DT-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIZ250DT-T1-GE3TR-ND
Price: 8.8314 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SIZ250DT-T1-GE3
Numer produktu DigiKey	742-SIZ250DT-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) 742-SIZ250DT-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) 742-SIZ250DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SIZ250DT-T1-GE3
Opis	MOSFET 2N-CH 60V 14A 8POWERPAIR
Standardowy czas realizacji przez producenta	55 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 60V 14A (Ta), 38A (Tc) 4,3W (Ta), 33W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-PowerPair® (3,3x3,3)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SIZ250DT-T1-GE3 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET	Vgs(th) (maks.) przy Id 2,4V przy 250µA
Producent Vishay Siliconix	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 21nC przy 10V
Seria TrenchFET® Gen IV	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 840pF przy 30V, 790pF przy 30V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Moc - maks. 4,3W (Ta), 33W (Tc)
Status części Aktywny	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Konfiguracja 2 kanały N (podwójne)	Obudowa / skrzynia 8-PowerWDFN
Napięcie dren-źródło (Vdss) 60V	Obudowa dostawcy urządzenia 8-PowerPair® (3,3x3,3)
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 14A (Ta), 38A (Tc)	Bazowy numer produktu SIZ250
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 12,2mOhm przy 10A, 10V, 12,7mOhm przy 10A, 10V