
SISS65DN-T1-GE3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | SISS65DN-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SISS65DN-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SISS65DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Producent | |
Numer produktu producenta | SISS65DN-T1-GE3 |
Opis | MOSFET P-CH 30V 25.9A/94A PPAK |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 22 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał P 30 V 25,9A (Ta), 94A (Tc) 5,1W (Ta), 65,8W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerPAK® 1212-8S |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | SISS65DN-T1-GE3 Modele |
Kategoria | Vgs(th) (maks.) przy Id 2,3V przy 250µA |
Prod. | Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 138 nC @ 10 V |
Seria | Vgs (maks.) ±20V |
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 4930 pF @ 15 V |
Status części Aktywny | Straty mocy (maks.) 5,1W (Ta), 65,8W (Tc) |
Typ FET | Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ) |
Technologia | Typ mocowania Montaż powierzchniowy |
Napięcie dren-źródło (Vdss) 30 V | Obudowa dostawcy urządzenia PowerPAK® 1212-8S |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | Obudowa / skrzynia |
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V | Bazowy numer produktu |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 4,6mOhm przy 15A, 10V |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 6,00000 zł | 6,00 zł |
| 10 | 3,79500 zł | 37,95 zł |
| 100 | 2,53010 zł | 253,01 zł |
| 500 | 1,98730 zł | 993,65 zł |
| 1 000 | 1,81264 zł | 1 812,64 zł |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 3 000 | 1,59087 zł | 4 772,61 zł |
| 6 000 | 1,47926 zł | 8 875,56 zł |
| 9 000 | 1,42242 zł | 12 801,78 zł |
| 15 000 | 1,35856 zł | 20 378,40 zł |
| 21 000 | 1,33892 zł | 28 117,32 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 6,00000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 7,38000 zł |







