
SISS05DN-T1-GE3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | SISS05DN-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SISS05DN-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SISS05DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Producent | |
Numer produktu producenta | SISS05DN-T1-GE3 |
Opis | MOSFET P-CH 30V 29.4A/108A PPAK |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 27 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał P 30 V 29.4A (Ta), 108A (Tc) 5W (Ta), 65,7W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerPAK® 1212-8S |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | SISS05DN-T1-GE3 Modele |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | ||
Opakowanie | Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® | |
Status części | Aktywny | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 30 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 4,5V, 10V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 3,5mOhm przy 10A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 2,2V przy 250µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 115 nC @ 10 V | |
Vgs (maks.) | +16V, -20V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 4930 pF @ 15 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 5W (Ta), 65,7W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | PowerPAK® 1212-8S | |
Obudowa / skrzynia | ||
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 6,59000 zł | 6,59 zł |
| 10 | 4,18300 zł | 41,83 zł |
| 100 | 2,80870 zł | 280,87 zł |
| 500 | 2,21986 zł | 1 109,93 zł |
| 1 000 | 2,03046 zł | 2 030,46 zł |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 3 000 | 1,79006 zł | 5 370,18 zł |
| 6 000 | 1,66906 zł | 10 014,36 zł |
| 9 000 | 1,65844 zł | 14 925,96 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 6,59000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 8,10570 zł |










