Name: SISS61DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISS61DN-T1-GE3TR-ND
Price: 8.0442 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SISS61DN-T1-GE3
Numer produktu DigiKey	SISS61DN-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SISS61DN-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SISS61DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SISS61DN-T1-GE3
Opis	MOSFET P-CH 20V 30.9/111.9A PPAK
Standardowy czas realizacji przez producenta	22 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 20 V 30,9A (Ta), 111,9A (Tc) 5W (Ta), 65,8W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerPAK® 1212-8S
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SISS61DN-T1-GE3 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 900mV przy 250µA
Prod. Vishay Siliconix	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 231 nC @ 10 V
Seria TrenchFET® Gen III	Vgs (maks.) ±8V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 8740 pF @ 10 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 5W (Ta), 65,8W (Tc)
Typ FET Kanał P	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 20 V	Obudowa dostawcy urządzenia PowerPAK® 1212-8S
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 30,9A (Ta), 111,9A (Tc)	Obudowa / skrzynia PowerPAK® 1212-8S
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 1,8V, 4,5V	Bazowy numer produktu SISS61
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 3,5mOhm przy 15A, 4,5V