
SISS61DN-T1-GE3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | SISS61DN-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SISS61DN-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SISS61DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Producent | |
Numer produktu producenta | SISS61DN-T1-GE3 |
Opis | MOSFET P-CH 20V 30.9/111.9A PPAK |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 24 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał P 20 V 30,9A (Ta), 111,9A (Tc) 5W (Ta), 65,8W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerPAK® 1212-8S |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | SISS61DN-T1-GE3 Modele |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | ||
Opakowanie | Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® | |
Status części | Aktywny | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 20 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 1,8V, 4,5V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 3,5mOhm przy 15A, 4,5V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 900mV przy 250µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 231 nC @ 10 V | |
Vgs (maks.) | ±8V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 8740 pF @ 10 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 5W (Ta), 65,8W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | PowerPAK® 1212-8S | |
Obudowa / skrzynia | ||
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 5,56000 zł | 5,56 zł |
| 10 | 3,50600 zł | 35,06 zł |
| 100 | 2,33510 zł | 233,51 zł |
| 500 | 1,83190 zł | 915,95 zł |
| 1 000 | 1,66995 zł | 1 669,95 zł |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 3 000 | 1,46427 zł | 4 392,81 zł |
| 6 000 | 1,36076 zł | 8 164,56 zł |
| 9 000 | 1,31074 zł | 11 796,66 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 5,56000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 6,83880 zł |











