
SISS63DN-T1-GE3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 742-SISS63DN-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) 742-SISS63DN-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) 742-SISS63DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Producent | |
Numer produktu producenta | SISS63DN-T1-GE3 |
Opis | MOSFET P-CH 20V 35.1/127.5A PPAK |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 31 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał P 20 V 35,1A (Ta), 127,5A (Tc) 5W (Ta), 65,8W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerPAK® 1212-8S |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | SISS63DN-T1-GE3 Modele |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | ||
Opakowanie | Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® | |
Status części | Aktywny | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 20 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 2,5V, 10V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 2,7mOhm przy 15A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 1,5V przy 250µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 236 nC @ 8 V | |
Vgs (maks.) | ±12V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 7080 pF @ 10 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 5W (Ta), 65,8W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | PowerPAK® 1212-8S | |
Obudowa / skrzynia | ||
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 5,86000 zł | 5,86 zł |
| 10 | 3,70700 zł | 37,07 zł |
| 100 | 2,47860 zł | 247,86 zł |
| 500 | 1,95106 zł | 975,53 zł |
| 1 000 | 1,78134 zł | 1 781,34 zł |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 3 000 | 1,56581 zł | 4 697,43 zł |
| 6 000 | 1,45735 zł | 8 744,10 zł |
| 9 000 | 1,42410 zł | 12 816,90 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 5,86000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 7,20780 zł |











