
SISS63DN-T1-GE3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 742-SISS63DN-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) 742-SISS63DN-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) 742-SISS63DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Producent | |
Numer produktu producenta | SISS63DN-T1-GE3 |
Opis | MOSFET P-CH 20V 35.1/127.5A PPAK |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 22 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał P 20 V 35,1A (Ta), 127,5A (Tc) 5W (Ta), 65,8W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerPAK® 1212-8S |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | SISS63DN-T1-GE3 Modele |
Kategoria | Vgs(th) (maks.) przy Id 1,5V przy 250µA |
Prod. | Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 236 nC @ 8 V |
Seria | Vgs (maks.) ±12V |
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 7080 pF @ 10 V |
Status części Aktywny | Straty mocy (maks.) 5W (Ta), 65,8W (Tc) |
Typ FET | Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ) |
Technologia | Typ mocowania Montaż powierzchniowy |
Napięcie dren-źródło (Vdss) 20 V | Obudowa dostawcy urządzenia PowerPAK® 1212-8S |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | Obudowa / skrzynia |
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 2,5V, 10V | Bazowy numer produktu |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 2,7mOhm przy 15A, 10V |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 6,28000 zł | 6,28 zł |
| 10 | 3,98900 zł | 39,89 zł |
| 100 | 2,66650 zł | 266,65 zł |
| 500 | 2,09896 zł | 1 049,48 zł |
| 1 000 | 1,91637 zł | 1 916,37 zł |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 3 000 | 1,68452 zł | 5 053,56 zł |
| 6 000 | 1,56783 zł | 9 406,98 zł |
| 9 000 | 1,50841 zł | 13 575,69 zł |
| 15 000 | 1,44166 zł | 21 624,90 zł |
| 21 000 | 1,43183 zł | 30 068,43 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 6,28000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 7,72440 zł |










