
SISF04DN-T1-GE3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 742-SISF04DN-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) 742-SISF04DN-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) 742-SISF04DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Producent | |
Numer produktu producenta | SISF04DN-T1-GE3 |
Opis | MOSFET 2N-CH 30V 30A PWRPAK1212 |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 55 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | MOSFET - układy 30V 30A (Ta), 108A (Tc) 5,2W (Ta), 69,4W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerPAK® 1212-8SCD |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | SISF04DN-T1-GE3 Modele |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Producent | Vishay Siliconix | |
Seria | ||
Opakowanie | Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® | |
Status części | Aktywny | |
Technologia | MOSFET (tlenek metalu) | |
Konfiguracja | 2 kanały N (podwójne), wspólny dren | |
Charakterystyka FET | - | |
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 30V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | 30A (Ta), 108A (Tc) | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 4mOhm przy 7A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 2,3V przy 250µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 60nC przy 10V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 2600pF przy 15V | |
Moc - maks. | 5,2W (Ta), 69,4W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TJ) | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy | |
Obudowa / skrzynia | PowerPAK® 1212-8SCD | |
Obudowa dostawcy urządzenia | PowerPAK® 1212-8SCD | |
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 7,76000 zł | 7,76 zł |
| 10 | 4,95500 zł | 49,55 zł |
| 100 | 3,34840 zł | 334,84 zł |
| 500 | 2,66042 zł | 1 330,21 zł |
| 1 000 | 2,43916 zł | 2 439,16 zł |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 3 000 | 2,15829 zł | 6 474,87 zł |
| 6 000 | 2,01698 zł | 12 101,88 zł |
| 9 000 | 1,94502 zł | 17 505,18 zł |
| 15 000 | 1,91165 zł | 28 674,75 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 7,76000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 9,54480 zł |





