
SIZF5302DT-T1-RE3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 742-SIZF5302DT-T1-RE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) 742-SIZF5302DT-T1-RE3CT-ND - Taśma cięta (CT) 742-SIZF5302DT-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Producent | |
Numer produktu producenta | SIZF5302DT-T1-RE3 |
Opis | MOSFET 2N-CH 30V 28.1A PWRPAIR |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 27 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | MOSFET - układy 30V 28,1A (Ta), 100A (Tc) 3,8W (Ta), 48,1W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerPAIR® 3x3FS |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | SIZF5302DT-T1-RE3 Modele |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Producent | Vishay Siliconix | |
Seria | ||
Opakowanie | Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® | |
Status części | Aktywny | |
Technologia | MOSFET (tlenek metalu) | |
Konfiguracja | 2 kanały N (podwójne) | |
Charakterystyka FET | - | |
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 30V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | 28,1A (Ta), 100A (Tc) | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 3,2mOhm przy 10A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 2V przy 250µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 22,2nC przy 10V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 1030pF przy 15V | |
Moc - maks. | 3,8W (Ta), 48,1W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TJ) | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy | |
Obudowa / skrzynia | 12-PowerPair™ | |
Obudowa dostawcy urządzenia | PowerPAIR® 3x3FS | |
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 9,08000 zł | 9,08 zł |
| 10 | 5,84500 zł | 58,45 zł |
| 100 | 3,99640 zł | 399,64 zł |
| 500 | 3,20498 zł | 1 602,49 zł |
| 1 000 | 3,16671 zł | 3 166,71 zł |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 3 000 | 2,62765 zł | 7 882,95 zł |
| 6 000 | 2,58716 zł | 15 522,96 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 9,08000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 11,16840 zł |











