Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar

SIHP24N65EF-GE3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | SIHP24N65EF-GE3-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | SIHP24N65EF-GE3 |
Opis | MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 28 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 650 V 24A (Tc) 250W (Tc) Otwór przelotowy TO-220AB |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | SIHP24N65EF-GE3 Modele |
Kategoria | Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 250µA |
Prod. | Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 122 nC @ 10 V |
Opakowanie Rurka | Vgs (maks.) ±20V |
Status części Aktywny | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 2656 pF @ 100 V |
Typ FET | Straty mocy (maks.) 250W (Tc) |
Technologia | Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ) |
Napięcie dren-źródło (Vdss) 650 V | Typ mocowania Otwór przelotowy |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | Obudowa dostawcy urządzenia TO-220AB |
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V | Obudowa / skrzynia |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 156mOhm przy 12A, 10V | Bazowy numer produktu |
| Numer katalogowy | Producent | Ilość dostępna | Numer produktu DigiKey | Cena jednostkowa | Rodzaj zamiennika |
|---|---|---|---|---|---|
| FCP190N65F | onsemi | 569 | FCP190N65F-ND | 20,04000 zł | Similar |
| IPP60R160P6XKSA1 | Infineon Technologies | 0 | IPP60R160P6XKSA1-ND | 13,36000 zł | Similar |
| IPP65R190CFDXKSA1 | Infineon Technologies | 0 | 448-IPP65R190CFDXKSA1-ND | 0,00000 zł | Similar |
| IPP65R190E6XKSA1 | Rochester Electronics, LLC | 56 890 | 2156-IPP65R190E6XKSA1-ND | 7,68429 zł | Similar |
| IXKP24N60C5 | IXYS | 0 | IXKP24N60C5-ND | 17,53233 zł | Similar |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 000 | 9,42585 zł | 9 425,85 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 9,42585 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 11,59380 zł |








