IPP65R190CFDXKSA1 jest przestarzałe i nie jest już produkowane.
Dostępne zamienniki:

MFR Recommended


Infineon Technologies
W magazynie: 1 182
Cena jednostkowa : 12,99000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 2
Cena jednostkowa : 23,61000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 1 659
Cena jednostkowa : 19,69000 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 4 398
Cena jednostkowa : 23,31000 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 255
Cena jednostkowa : 24,81000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 674
Cena jednostkowa : 14,60000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 19,80000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 381
Cena jednostkowa : 15,66000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 991
Cena jednostkowa : 13,36000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 990
Cena jednostkowa : 16,65000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 759
Cena jednostkowa : 13,83000 zł
Arkusz danych

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
W magazynie: 49
Cena jednostkowa : 14,82000 zł
Arkusz danych
PG-TO220-3-1
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IPP65R190CFDXKSA1

Numer produktu DigiKey
448-IPP65R190CFDXKSA1-ND
Producent
Numer produktu producenta
IPP65R190CFDXKSA1
Opis
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220-3
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 650 V 17,5A (Tc) 151W (Tc) Otwór przelotowy PG-TO220-3
Arkusz danych
 Arkusz danych
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Seria
Opakowanie
Rurka
Status części
Nieaktualne
Typ FET
Technologia
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
190mOhm przy 7,3A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
4,5V przy 730µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
1850 pF @ 100 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
151W (Tc)
Temperatura robocza
-55°C - 150°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia
PG-TO220-3
Obudowa / skrzynia
Bazowy numer produktu
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

Przestarzałe
Ten produkt nie jest już produkowany. Wyświetl Zamienniki.