SIHP24N65E-GE3 nie jest dostępne w magazynie, jednak można złożyć zamówienie niezrealizowane.
Dostępne zamienniki:

Odpowiednik parametryczny


Vishay Siliconix
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 24,70000 zł
Arkusz danych

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
W magazynie: 3 057
Cena jednostkowa : 20,36000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 765
Cena jednostkowa : 27,33000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 776
Cena jednostkowa : 23,02000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 499
Cena jednostkowa : 16,27000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 257
Cena jednostkowa : 18,03000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 37
Cena jednostkowa : 13,07000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 25,96000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 257
Cena jednostkowa : 19,68000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 9,96080 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 5
Cena jednostkowa : 19,17000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 900
Cena jednostkowa : 20,00000 zł
Arkusz danych
Kanał N 650 V 24A (Tc) 250W (Tc) Otwór przelotowy TO-220AB
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SIHP24N65E-GE3

Numer produktu DigiKey
SIHP24N65E-GE3-ND
Producent
Numer produktu producenta
SIHP24N65E-GE3
Opis
MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB
Standardowy czas realizacji przez producenta
24 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 650 V 24A (Tc) 250W (Tc) Otwór przelotowy TO-220AB
Arkusz danych
 Arkusz danych
Modele EDA/CAD
SIHP24N65E-GE3 Modele
Atrybuty produktu
Filtruj podobne produkty
Pokaż puste atrybuty
Kategoria
Vgs(th) (maks.) przy Id
4V przy 250µA
Prod.
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
122 nC @ 10 V
Opakowanie
Rurka
Vgs (maks.)
±30V
Status części
Aktywny
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
2740 pF @ 100 V
Typ FET
Straty mocy (maks.)
250W (Tc)
Technologia
Temperatura robocza
-55°C - 150°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-220AB
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Obudowa / skrzynia
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
145mOhm przy 12A, 10V
Bazowy numer produktu
Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów
Dodatkowe zasoby
Zamienniki (22)
Numer katalogowyProducent Ilość dostępnaNumer produktu DigiKey Cena jednostkowa Rodzaj zamiennika
SIHP24N65E-E3Vishay Siliconix0SIHP24N65E-E3-ND24,70000 złOdpowiednik parametryczny
AOT27S60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.3 057785-1252-5-ND20,36000 złSimilar
FCP110N65Fonsemi765FCP110N65FOS-ND27,33000 złSimilar
FCP150N65Fonsemi776FCP150N65FOS-ND23,02000 złSimilar
FCP22N60Nonsemi0FCP22N60N-ND0,00000 złSimilar
W magazynie: 0
Sprawdź czas realizacji
Zażądaj powiadomienia o stanie magazynowym
Wszystkie ceny podano w PLN
Rurka
Ilość Cena jednostkowa Wartość
124,70000 zł24,70 zł
1016,59700 zł165,97 zł
10012,01120 zł1 201,12 zł
50010,05704 zł5 028,52 zł
1 0009,42976 zł9 429,76 zł
2 0009,20143 zł18 402,86 zł
Opakowanie standardowe producenta
Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.
Cena jednostkowa bez VAT:24,70000 zł
Cena jednostkowa z VAT:30,38100 zł