
FCP110N65F | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | FCP110N65FOS-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | FCP110N65F |
Opis | MOSFET N-CH 650V 35A TO220-3 |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 15 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 650 V 35A (Tc) 357W (Tc) Otwór przelotowy TO-220-3 |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | FCP110N65F Modele |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | ||
Opakowanie | Rurka | |
Status części | Aktywny | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 650 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 10V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 110mOhm przy 17,5A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 5V przy 3,5mA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 145 nC @ 10 V | |
Vgs (maks.) | ±20V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 4895 pF @ 100 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 357W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Otwór przelotowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | TO-220-3 | |
Obudowa / skrzynia | ||
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 26,83000 zł | 26,83 zł |
| 50 | 14,44900 zł | 722,45 zł |
| 100 | 13,25430 zł | 1 325,43 zł |
| 500 | 11,17948 zł | 5 589,74 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 26,83000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 33,00090 zł |

