STP21N65M5 nie jest dostępne w magazynie, jednak można złożyć zamówienie niezrealizowane.
Dostępne zamienniki:

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
W magazynie: 642
Cena jednostkowa : 16,58000 zł
Arkusz danych

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 7,80452 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 1 058
Cena jednostkowa : 16,10000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 1 432
Cena jednostkowa : 17,98000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 569
Cena jednostkowa : 19,74000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 1 690
Cena jednostkowa : 22,82000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 257
Cena jednostkowa : 16,69000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 2 457
Cena jednostkowa : 12,69000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 1 839
Cena jednostkowa : 12,69000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 13
Cena jednostkowa : 14,89000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 257
Cena jednostkowa : 18,23000 zł
Arkusz danych
Kanał N 650 V 17A (Tc) 125W (Tc) Otwór przelotowy TO-220
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

STP21N65M5

Numer produktu DigiKey
497-STP21N65M5-ND
Producent
Numer produktu producenta
STP21N65M5
Opis
MOSFET N-CH 650V 17A TO220AB
Standardowy czas realizacji przez producenta
16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 650 V 17A (Tc) 125W (Tc) Otwór przelotowy TO-220
Arkusz danych
 Arkusz danych
Modele EDA/CAD
STP21N65M5 Modele
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Seria
Opakowanie
Rurka
Status części
Aktywny
Typ FET
Technologia
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
190mOhm przy 8,5A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
5V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±25V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
1950 pF @ 100 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
125W (Tc)
Temperatura robocza
150°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-220
Obudowa / skrzynia
Bazowy numer produktu
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

0 w magazynie
Sprawdź czas realizacji
Zażądaj powiadomienia o stanie magazynowym
Wszystkie ceny podano w PLN
Rurka
Ilość Cena jednostkowa Wartość
119,11000 zł19,11 zł
509,95820 zł497,91 zł
1009,07450 zł907,45 zł
5007,52682 zł3 763,41 zł
1 0007,09193 zł7 091,93 zł
Opakowanie standardowe producenta
Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.
Cena jednostkowa bez VAT:19,11000 zł
Cena jednostkowa z VAT:23,50530 zł