STP21N65M5 nie jest dostępne w magazynie, jednak można złożyć zamówienie niezrealizowane.
Dostępne zamienniki:

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
W magazynie: 1 248
Cena jednostkowa : 15,45000 zł
Arkusz danych

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 7,07753 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 1 059
Cena jednostkowa : 16,07000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 1 444
Cena jednostkowa : 17,93000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 1 659
Cena jednostkowa : 19,69000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 1 798
Cena jednostkowa : 22,77000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 260
Cena jednostkowa : 16,65000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 2 452
Cena jednostkowa : 12,66000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 1 845
Cena jednostkowa : 12,66000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 348
Cena jednostkowa : 14,86000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 257
Cena jednostkowa : 18,19000 zł
Arkusz danych
TO-220-3
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

STP21N65M5

Numer produktu DigiKey
497-STP21N65M5-ND
Producent
Numer produktu producenta
STP21N65M5
Opis
MOSFET N-CH 650V 17A TO220AB
Standardowy czas realizacji przez producenta
14 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 650 V 17A (Tc) 125W (Tc) Otwór przelotowy TO-220
Arkusz danych
 Arkusz danych
Modele EDA/CAD
STP21N65M5 Modele
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Seria
Opakowanie
Rurka
Status części
Aktywny
Typ FET
Technologia
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
190mOhm przy 8,5A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
5V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±25V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
1950 pF @ 100 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
125W (Tc)
Temperatura robocza
150°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-220
Obudowa / skrzynia
Bazowy numer produktu
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

0 w magazynie
Sprawdź czas realizacji
Zażądaj powiadomienia o stanie magazynowym
Wszystkie ceny podano w PLN
Rurka
Ilość Cena jednostkowa Wartość
119,80000 zł19,80 zł
5010,35860 zł517,93 zł
1009,44650 zł944,65 zł
5007,84872 zł3 924,36 zł
1 0007,44810 zł7 448,10 zł
Opakowanie standardowe producenta
Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.
Cena jednostkowa bez VAT:19,80000 zł
Cena jednostkowa z VAT:24,35400 zł