Bezpośrednie
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar

SIHP22N60AE-GE3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | SIHP22N60AE-GE3-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | SIHP22N60AE-GE3 |
Opis | MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 24 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 600 V 20A (Tc) 179W (Tc) Otwór przelotowy TO-220AB |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Kategoria | Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 250µA |
Prod. | Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 96 nC @ 10 V |
Seria | Vgs (maks.) ±30V |
Opakowanie Rurka | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1451 pF @ 100 V |
Status części Aktywny | Straty mocy (maks.) 179W (Tc) |
Typ FET | Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ) |
Technologia | Typ mocowania Otwór przelotowy |
Napięcie dren-źródło (Vdss) 600 V | Obudowa dostawcy urządzenia TO-220AB |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | Obudowa / skrzynia |
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V | Bazowy numer produktu |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 180mOhm przy 11A, 10V |
| Numer katalogowy | Producent | Ilość dostępna | Numer produktu DigiKey | Cena jednostkowa | Rodzaj zamiennika |
|---|---|---|---|---|---|
| SIHP22N60AE-BE3 | Vishay Siliconix | 1 938 | 742-SIHP22N60AE-BE3-ND | 18,06000 zł | Bezpośrednie |
| FCP190N65S3 | onsemi | 635 | FCP190N65S3-ND | 16,70000 zł | Similar |
| IPP60R190E6XKSA1 | Infineon Technologies | 1 839 | 448-IPP60R190E6XKSA1-ND | 13,68000 zł | Similar |
| IXFP24N60X | IXYS | 0 | IXFP24N60X-ND | 11,09377 zł | Similar |
| IXFP30N60X | IXYS | 0 | IXFP30N60X-ND | 12,56373 zł | Similar |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 000 | 7,45974 zł | 7 459,74 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 7,45974 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 9,17548 zł |








