Name: SIHP22N60AE-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHP22N60AE-GE3-ND
Price: 7.65697 PLN
Availability: OutOfStock

SIHP22N60AE-GE3 jest dostępne do zakupu, ale zwykle nie jest przechowywane w magazynie.

Dostępne zamienniki:

Bezpośrednie

SIHP22N60AE-BE3

Vishay Siliconix

W magazynie: 1 944

Cena jednostkowa : 14,64000 zł

Arkusz danych

Odpowiednik parametryczny

SIHG22N60AE-GE3

Vishay Siliconix

W magazynie: 0

Cena jednostkowa : 18,08000 zł

Arkusz danych

Similar

FCP190N65S3

onsemi

W magazynie: 680

Cena jednostkowa : 16,40000 zł

Arkusz danych

Similar

IPP60R190E6XKSA1

Infineon Technologies

W magazynie: 1 845

Cena jednostkowa : 12,66000 zł

Arkusz danych

Similar

IXFP24N60X

IXYS

W magazynie: 0

Cena jednostkowa : 11,30757 zł

Similar

IXFP30N60X

IXYS

W magazynie: 0

Cena jednostkowa : 12,80587 zł

Similar

IXKP24N60C5

IXYS

W magazynie: 0

Cena jednostkowa : 17,87020 zł

Similar

STP28NM60ND

STMicroelectronics

W magazynie: 112

Cena jednostkowa : 24,92000 zł

Arkusz danych

Similar

TK16E60W,S1VX

Toshiba Semiconductor and Storage

W magazynie: 49

Cena jednostkowa : 14,82000 zł

Arkusz danych

Wyświetl i porównaj wszystkie zamienniki

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SIHP22N60AE-GE3
Numer produktu DigiKey	SIHP22N60AE-GE3-ND
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SIHP22N60AE-GE3
Opis	MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB
Standardowy czas realizacji przez producenta	25 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 600 V 20A (Tc) 179W (Tc) Otwór przelotowy TO-220AB
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Vishay Siliconix
Seria	E
Opakowanie	Rurka
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	600 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	20A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	180mOhm przy 11A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	96 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1451 pF @ 100 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	179W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-220AB
Obudowa / skrzynia	TO-220-3
Bazowy numer produktu	SIHP22

Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

Dostępne do zamawiania

Sprawdź czas realizacji

Ten produkt nie znajduje się w magazynie DigiKey. Ukazany czas realizacji dotyczy wysyłki od producenta do firmy DigiKey. Po otrzymaniu produktu, DigiKey dokona wysyłki w celu realizacji otwartych zamówień.

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Rurka

Ilość	Cena jednostkowa	Wartość
1 000	6,22518 zł	6 225,18 zł

Opakowanie standardowe producenta

Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.