Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar

SIHG33N65E-GE3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | SIHG33N65E-GE3-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | SIHG33N65E-GE3 |
Opis | MOSFET N-CH 650V 32.4A TO247AC |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 24 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 650 V 1,4A (Tc) 313W (Tc) Otwór przelotowy TO-247AC |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Kategoria | Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 250µA |
Prod. | Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 173 nC @ 10 V |
Opakowanie Rurka | Vgs (maks.) ±30V |
Status części Aktywny | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 4040 pF @ 100 V |
Typ FET | Straty mocy (maks.) 313W (Tc) |
Technologia | Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ) |
Napięcie dren-źródło (Vdss) 650 V | Typ mocowania Otwór przelotowy |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | Obudowa dostawcy urządzenia TO-247AC |
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V | Obudowa / skrzynia |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 105mOhm przy 16,5A, 10V | Bazowy numer produktu |
| Numer katalogowy | Producent | Ilość dostępna | Numer produktu DigiKey | Cena jednostkowa | Rodzaj zamiennika |
|---|---|---|---|---|---|
| APT38N60BC6 | Microchip Technology | 0 | APT38N60BC6-ND | 23,34022 zł | Similar |
| FCH104N60F-F085 | onsemi | 411 | FCH104N60F-F085OS-ND | 26,86000 zł | Similar |
| IPW60R099P6XKSA1 | Infineon Technologies | 372 | IPW60R099P6XKSA1-ND | 21,01000 zł | Similar |
| IXTH32N65X | IXYS | 0 | IXTH32N65X-ND | 22,77633 zł | Similar |
| SPW32N50C3FKSA1 | Infineon Technologies | 472 | 448-SPW32N50C3FKSA1-ND | 34,22000 zł | Similar |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 500 | 15,17386 zł | 7 586,93 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 15,17386 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 18,66385 zł |








