SIHG33N65E-GE3 jest dostępne do zakupu, ale zwykle nie jest przechowywane w magazynie.
Dostępne zamienniki:

Similar


Microchip Technology
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 23,34022 zł

Similar


onsemi
W magazynie: 411
Cena jednostkowa : 26,86000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 372
Cena jednostkowa : 21,01000 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 22,77633 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 472
Cena jednostkowa : 34,22000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 22,08000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 27,33000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 18,32140 zł
Arkusz danych

Similar


Taiwan Semiconductor Corporation
W magazynie: 295
Cena jednostkowa : 44,02000 zł
Arkusz danych

Similar


Taiwan Semiconductor Corporation
W magazynie: 265
Cena jednostkowa : 38,82000 zł
Arkusz danych
Kanał N 650 V 1,4A (Tc) 313W (Tc) Otwór przelotowy TO-247AC
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SIHG33N65E-GE3

Numer produktu DigiKey
SIHG33N65E-GE3-ND
Producent
Numer produktu producenta
SIHG33N65E-GE3
Opis
MOSFET N-CH 650V 32.4A TO247AC
Standardowy czas realizacji przez producenta
24 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 650 V 1,4A (Tc) 313W (Tc) Otwór przelotowy TO-247AC
Arkusz danych
 Arkusz danych
Atrybuty produktu
Filtruj podobne produkty
Pokaż puste atrybuty
Kategoria
Vgs(th) (maks.) przy Id
4V przy 250µA
Prod.
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
173 nC @ 10 V
Opakowanie
Rurka
Vgs (maks.)
±30V
Status części
Aktywny
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
4040 pF @ 100 V
Typ FET
Straty mocy (maks.)
313W (Tc)
Technologia
Temperatura robocza
-55°C - 150°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-247AC
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Obudowa / skrzynia
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
105mOhm przy 16,5A, 10V
Bazowy numer produktu
Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów
Dodatkowe zasoby
Zamienniki (10)
Numer katalogowyProducent Ilość dostępnaNumer produktu DigiKey Cena jednostkowa Rodzaj zamiennika
APT38N60BC6Microchip Technology0APT38N60BC6-ND23,34022 złSimilar
FCH104N60F-F085onsemi411FCH104N60F-F085OS-ND26,86000 złSimilar
IPW60R099P6XKSA1Infineon Technologies372IPW60R099P6XKSA1-ND21,01000 złSimilar
IXTH32N65XIXYS0IXTH32N65X-ND22,77633 złSimilar
SPW32N50C3FKSA1Infineon Technologies472448-SPW32N50C3FKSA1-ND34,22000 złSimilar
Dostępne do zamawiania
Sprawdź czas realizacji
Ten produkt nie znajduje się w magazynie DigiKey. Ukazany czas realizacji dotyczy wysyłki od producenta do firmy DigiKey. Po otrzymaniu produktu, DigiKey dokona wysyłki w celu realizacji otwartych zamówień.
Wszystkie ceny podano w PLN
Rurka
Ilość Cena jednostkowa Wartość
50015,17386 zł7 586,93 zł
Opakowanie standardowe producenta
Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.
Cena jednostkowa bez VAT:15,17386 zł
Cena jednostkowa z VAT:18,66385 zł