STW36NM60ND jest przestarzałe i nie jest już produkowane.
Dostępne zamienniki:

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 480
Cena jednostkowa : 27,61000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 310
Cena jednostkowa : 33,21000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 750
Cena jednostkowa : 31,02000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 93
Cena jednostkowa : 21,94000 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 3 809
Cena jednostkowa : 40,18000 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 6
Cena jednostkowa : 123,24000 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 95,72583 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 201
Cena jednostkowa : 88,05000 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 30
Cena jednostkowa : 168,37000 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 83,41693 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 53,30757 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 38
Cena jednostkowa : 122,41000 zł
Arkusz danych

Similar


Vishay Siliconix
W magazynie: 466
Cena jednostkowa : 26,93000 zł
Arkusz danych

Similar


Vishay Siliconix
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 13,10570 zł
Arkusz danych
Kanał N 600 V 29A (Tc) 190W (Tc) Otwór przelotowy TO-247-3
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

STW36NM60ND

Numer produktu DigiKey
497-13888-5-ND
Producent
Numer produktu producenta
STW36NM60ND
Opis
MOSFET N-CH 600V 29A TO247
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 600 V 29A (Tc) 190W (Tc) Otwór przelotowy TO-247-3
Arkusz danych
 Arkusz danych
Modele EDA/CAD
STW36NM60ND Modele
Atrybuty produktu
Filtruj podobne produkty
Pokaż puste atrybuty
Kategoria
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
80.4 nC @ 10 V
Prod.
Vgs (maks.)
±25V
Seria
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
2785 pF @ 50 V
Opakowanie
Rurka
Straty mocy (maks.)
190W (Tc)
Status części
Nieaktualne
Temperatura robocza
150°C (TJ)
Typ FET
Klasa
Motoryzacja
Technologia
Kwalifikacja
AEC-Q101
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-247-3
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Obudowa / skrzynia
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
110mOhm przy 14,5A, 10V
Bazowy numer produktu
Vgs(th) (maks.) przy Id
5V przy 250µA
Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów
Dodatkowe zasoby
Zamienniki (18)
Numer katalogowyProducent Ilość dostępnaNumer produktu DigiKey Cena jednostkowa Rodzaj zamiennika
IPW60R099C6FKSA1Infineon Technologies480448-IPW60R099C6FKSA1-ND27,61000 złSimilar
IPW60R099CPAFKSA1Infineon Technologies310IPW60R099CPAFKSA1-ND33,21000 złSimilar
IPW60R099CPFKSA1Infineon Technologies750448-IPW60R099CPFKSA1-ND31,02000 złSimilar
IPW60R125C6FKSA1Infineon Technologies93448-IPW60R125C6FKSA1-ND21,94000 złSimilar
IXFH34N65X2IXYS3 809238-IXFH34N65X2-ND40,18000 złSimilar
Przestarzałe
Ten produkt nie jest już produkowany. Wyświetl Zamienniki.