SIHG33N60E-GE3 nie jest dostępne w magazynie, jednak można złożyć zamówienie niezrealizowane.
Dostępne zamienniki:

Odpowiednik parametryczny


Vishay Siliconix
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 13,10570 zł
Arkusz danych

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 14,45792 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 480
Cena jednostkowa : 27,61000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 750
Cena jednostkowa : 31,02000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 93
Cena jednostkowa : 21,94000 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 3 809
Cena jednostkowa : 40,18000 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 30
Cena jednostkowa : 168,37000 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 83,41693 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 53,30757 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 298
Cena jednostkowa : 66,18000 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 22,77633 zł
Arkusz danych
Kanał N 600 V 33A (Tc) 278W (Tc) Otwór przelotowy TO-247AC
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SIHG33N60E-GE3

Numer produktu DigiKey
SIHG33N60E-GE3-ND
Producent
Numer produktu producenta
SIHG33N60E-GE3
Opis
MOSFET N-CH 600V 33A TO247AC
Standardowy czas realizacji przez producenta
24 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 600 V 33A (Tc) 278W (Tc) Otwór przelotowy TO-247AC
Arkusz danych
 Arkusz danych
Atrybuty produktu
Filtruj podobne produkty
Pokaż puste atrybuty
Kategoria
Vgs(th) (maks.) przy Id
4V przy 250µA
Prod.
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
150 nC @ 10 V
Opakowanie
Rurka
Vgs (maks.)
±30V
Status części
Aktywny
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
3508 pF @ 100 V
Typ FET
Straty mocy (maks.)
278W (Tc)
Technologia
Temperatura robocza
-55°C - 150°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-247AC
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Obudowa / skrzynia
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
99mOhm przy 16,5A, 10V
Bazowy numer produktu
Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów
Dodatkowe zasoby
Zamienniki (23)
Numer katalogowyProducent Ilość dostępnaNumer produktu DigiKey Cena jednostkowa Rodzaj zamiennika
SIHG33N60E-E3Vishay Siliconix0SIHG33N60E-E3-ND13,10570 złOdpowiednik parametryczny
AOK42S60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.0785-1535-5-ND14,45792 złSimilar
FCH104N60onsemi0FCH104N60-ND0,00000 złSimilar
FCH25N60Nonsemi0FCH25N60NOS-ND0,00000 złSimilar
FCH35N60onsemi0FCH35N60-ND0,00000 złSimilar
W magazynie: 0
Sprawdź czas realizacji
Zażądaj powiadomienia o stanie magazynowym
Wszystkie ceny podano w PLN
Rurka
Ilość Cena jednostkowa Wartość
127,79000 zł27,79 zł
1018,79800 zł187,98 zł
10013,70540 zł1 370,54 zł
50011,53566 zł5 767,83 zł
1 00010,83937 zł10 839,37 zł
2 00010,77240 zł21 544,80 zł
Opakowanie standardowe producenta
Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.
Cena jednostkowa bez VAT:27,79000 zł
Cena jednostkowa z VAT:34,18170 zł