Ustawienia
Szybka dostawa
Bezpłatna wysyłka
Incoterms
Typy płatności
Produkt z platformy handlowej
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.
SIHD6N65E-GE3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | SIHD6N65E-GE3-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | SIHD6N65E-GE3 |
Opis | MOSFET N-CH 650V 7A DPAK |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 25 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 650 V 7A (Tc) 78W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-252AA |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | SIHD6N65E-GE3 Modele |
Atrybuty produktu
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | - | |
Opakowanie | Rurka | |
Status części | Aktywny | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 650 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 10V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 600mOhm przy 3A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 4V przy 250µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 48 nC @ 10 V | |
Vgs (maks.) | ±30V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 820 pF @ 100 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 78W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | TO-252AA | |
Obudowa / skrzynia | ||
Bazowy numer produktu |
W magazynie: 2 913
Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu
Ilość
Wszystkie ceny podano w PLN
Rurka
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 8,56000 zł | 8,56 zł |
| 75 | 3,90600 zł | 292,95 zł |
| 150 | 3,51993 zł | 527,99 zł |
| 525 | 2,97080 zł | 1 559,67 zł |
| 1 050 | 2,73311 zł | 2 869,77 zł |
| 2 025 | 2,54286 zł | 5 149,29 zł |
| 5 025 | 2,37900 zł | 11 954,48 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 8,56000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 10,52880 zł |
Mogą Cię również zainteresować
1 Pozycje
Polska